2026年6月16日，新加坡国立大学万弋老师在天津大学卫津路校区第三教学楼会议室开展了题为“Low-Defect 2D Semiconductor Growth”的学术报告。

随着器件特征尺寸持续微缩，传统硅基材料逐渐逼近其物理极限,过渡金属硫族化合物(TMDs)作为下一代二维电子器件的核心基础材料受到广泛关注。然而，将实验室尺度的薄层样品拓展至晶圆级单晶薄膜，同时维持极低缺陷密度，仍是一大关键难题。万弋老师首先围绕大面积单晶的可控生长技术展开论述，指出二维材料因超薄厚度而仅存在点或线缺陷，为实现高质量单晶的制备提供了有利条件。同时，在成核位点方向的控制方面，区别于衬底台阶边缘诱导生长，精确调控生长条件、衬底台阶高度进行晶面诱导和表面对称性诱导，揭示了二维材料生长新理论，制备连续完整的单晶薄膜。随后，万弋老师讲解了在生长过程中抑制本征缺陷，尤其是硫族空位缺陷的化学调控方案，使缺陷态密度明显降低。将大尺寸薄膜生长与原子级缺陷调控相结合，为高性能p型、n型二维逻辑器件及光电器件集成奠定了技术基础。

报告结束后，与会师生向万老师请教了有关器件接触与性能测试、衬底与半导体材料晶格匹配等问题。本次报告吸引了实验室及相关课题组的广泛关注。

报告人简介：

万弋，新加坡国立大学研究助理教授，博士生导师。2021年于阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)获得博士学位，2022年至今先后于香港大学(HKU)和新加坡国立大学(NUS)担任研究助理教授。主要研究方向为面向新一代电子器件的新型低维半导体材料的制备与集成技术。以第一作者/通讯作者身份在Nature，Nat. Nanotechnol., Nat. Commun., Adv. Mater., J. Am. Chem. Soc., Chem. Soc. Rev., ACS Nano, Adv. Funct. Mater. 等顶级学术期刊发表论文60余篇;论文SCI引用2600余次。